1976 yilda Zumsteg va boshqalar. Rubidium titanilfosfat (RbTiOPO) etishtirish uchun gidrotermik usuldan foydalangan₄, RTP deb ataladi) kristalli. RTP kristalli ortorombik tizimdir, mm2 ballli guruh, P_na21 kosmik guruhi, katta elektro-optik koeffitsienti, yuqori yorug'lik shikastlanishi chegarasi, past o'tkazuvchanlik, keng uzatish diapazoni, suyultirilmaydigan, past kiritish yo'qotilishining keng qamrovli afzalliklariga ega va yuqori takroriy chastotali ishlarda (100 tagacha) foydalanish mumkin. kHz), va boshqalar. Va kuchli lazer nurlanishi ostida kulrang belgilar bo'lmaydi. So'nggi yillarda u elektro-optik Q-kalitlarini tayyorlash uchun mashhur materialga aylandi, ayniqsa yuqori takrorlash tezligi lazer tizimlari uchun mos keladi..

RTP xom ashyosi eritilganda parchalanadi va ularni an'anaviy eritmani tortib olish usullari bilan etishtirish mumkin emas. Odatda, erish nuqtasini kamaytirish uchun oqimlar qo'llaniladi. Xom-ashyoga katta miqdordagi oqim qo'shilishi tufayli u’s katta o'lchamli va yuqori sifatli RTP etishtirish juda qiyin. 1990 yilda Vang Jiyang va boshqalar rangsiz, to'liq va bir xil RTP monokristalini olish uchun o'z-o'ziga xizmat ko'rsatish oqimi usulidan foydalanganlar. mm×44 mm×34 mm, va uning ishlashi bo'yicha tizimli tadqiqot o'tkazdi. 1992 yilda Oseledchikva boshqalar. 30 o'lchamdagi RTP kristallarini etishtirish uchun shunga o'xshash o'z-o'ziga xizmat ko'rsatish oqimi usulidan foydalangan mm×40 mm×60 mm va yuqori lazer shikastlanish chegarasi. 2002 yilda Kannan va boshqalar. oz miqdorda MoO ishlatilgan₃ (0,002 mol%), taxminan 20 o'lchamdagi yuqori sifatli RTP kristallarini etishtirish uchun yuqori urug'lik usulida oqim sifatida. mm. 2010 yilda Roth va Tseitlin yuqori urug'lik usuli yordamida katta o'lchamli RTP etishtirish uchun mos ravishda [100] va [010] yo'nalishli urug'lardan foydalangan.

Tayyorlash usullari va elektro-optik xossalari o'xshash bo'lgan KTP kristallari bilan solishtirganda, RTP kristallarining qarshiligi 2 dan 3 gacha kattaroqdir (10⁸ Ō·sm), shuning uchun RTP kristallari elektrolitik shikastlanish muammolarisiz EO Q-switch ilovalari sifatida ishlatilishi mumkin. 2008 yilda Shaldinva boshqalar. qarshiligi 0,5 ga teng bo'lgan yagona domenli RTP kristalini etishtirish uchun eng yaxshi usuldan foydalangan.×10¹² Ō·sm, bu kattaroq aniq diafragma bilan EO Q-kalitlari uchun juda foydali. 2015 yilda Chjou Xaitaova boshqalar. a o'qi uzunligi 20 dan ortiq bo'lgan RTP kristallari haqida xabar berdi mm gidrotermik usulda yetishtirildi, qarshilik esa 10 ga teng¹¹~10¹² Ō·sm. RTP kristalli ikki o'qli kristall bo'lgani uchun u EO Q- kaliti sifatida foydalanilganda LN kristalli va DKDP kristalidan farq qiladi. Juftlikdagi bitta RTP 90 ga aylantirilishi kerak°tabiiy ikki sindirishni qoplash uchun yorug'lik yo'nalishida. Ushbu dizayn nafaqat kristalning yuqori optik bir xilligini talab qiladi, balki Q-kalitining yuqori so'nish koeffitsientiga ega bo'lish uchun ikkita kristalning uzunligi iloji boricha yaqin bo'lishini talab qiladi.

Ajoyib sifatida EO Q-kalitiing bilan material yuqori takrorlash chastotasi, RTP kristallis hajmining cheklanishiga bog'liq bu kattalar uchun mumkin emas aniq diafragma (tijorat mahsulotlarining maksimal diafragma faqat 6 mm). Shuning uchun, RTP kristallarini tayyorlash bilan katta hajm va yuqori sifat shuningdek moslashish texnikasi ning RTP juftlari hali kerak katta miqdorda tadqiqot ishi.