Past haroratli fazali bariy metaborati (b-BaB2O4, qisqacha BBO) kristall uch tomonlama kristall sistemaga tegishli, 3m nuqta guruhi. 1949 yilda Levinva boshqalar. past haroratli fazali bariy metaborati BaB ni topdi2O4 birikma. 1968 yilda Brixnerva boshqalar. BaCl ishlatiladi2 shaffof ignasimon monokristalni olish uchun oqim sifatida. 1969 yilda Hubner Li dan foydalangan2O 0,5 mm × 0,5 mm × 0,5 mm o'sish uchun oqim sifatida va zichlik, hujayra parametrlari va kosmik guruhining asosiy ma'lumotlarini o'lchadi. 1982 yildan keyin Xitoy Fanlar akademiyasi Fujian moddalar strukturasi instituti eritilgan tuz urug'i-kristal usulini oqimdagi yirik monokristalni o'stirish uchun ishlatdi va BBO kristalli ultrabinafsha chastotani ikki barobarga oshiradigan ajoyib material ekanligini aniqladi. Elektro-optik Q-switching ilovasi uchun BBO kristalli yuqori yarim to'lqinli kuchlanishga olib keladigan past elektro-optik koeffitsientning kamchiliklariga ega, ammo u lazer shikastlanishining juda yuqori chegarasining ajoyib afzalligiga ega.
Xitoy Fanlar akademiyasi Fujian moddalar strukturasi instituti BBO kristallarining o‘sishi bo‘yicha bir qator ishlarni amalga oshirdi. 1985 yilda ph67mm×14mm oʻlchamdagi monokristal yetishtirildi. Kristal o'lchami 1986 yilda ph76 mm × 15 mm va 1988 yilda ph 120 mm × 23 mm ga etdi.
Kristallarning o'sishi, birinchi navbatda, eritilgan tuz urug'i-kristal usulini (shuningdek, yuqori urug'li kristal usuli, oqimni ko'tarish usuli va boshqalar sifatida ham tanilgan) qabul qiladi. Kristalning o'sish tezligic-eksa yo'nalishi sekin va yuqori sifatli uzun kristall olish qiyin. Bundan tashqari, BBO kristalining elektro-optik koeffitsienti nisbatan kichik va qisqa kristall yuqori ish kuchlanishini talab qiladi. 1995 yilda Goodnova boshqalar. Nd: YLF lazerining EO Q-modulyatsiyasi uchun BBO elektro-optik material sifatida ishlatilgan. Ushbu BBO kristalining o'lchami 3 mm × 3 mm × 15 mm (x, y, z) va ko'ndalang modulyatsiya qabul qilindi. Ushbu BBO ning uzunlik-balandlik nisbati 5: 1 ga yetgan bo'lsa-da, chorak to'lqinli kuchlanish hali ham 4,6 kV gacha, bu bir xil sharoitlarda LN kristalining EO Q-modulyatsiyasidan taxminan 5 barobar ko'pdir.
Ishlash kuchlanishini kamaytirish uchun BBO EO Q-switch ikki yoki uchta kristalni birgalikda ishlatadi, bu esa kiritish yo'qotilishi va narxini oshiradi. Nikelva boshqalar. yorug'likning kristall orqali bir necha marta o'tishi bilan BBO kristalining yarim to'lqinli kuchlanishini pasaytirdi. Rasmda ko'rsatilganidek, lazer nurlari kristall orqali to'rt marta o'tadi va 45 ° da joylashtirilgan yuqori aks ettiruvchi oyna tufayli yuzaga kelgan faza kechikishi optik yo'lda joylashtirilgan to'lqin plitasi bilan qoplanadi. Shunday qilib, ushbu BBO Q-switchining yarim to'lqinli kuchlanishi 3,6 kV gacha bo'lishi mumkin.
Shakl 1. Past yarim to'lqinli kuchlanish bilan BBO EO Q-modulyatsiyasi - WISOPTIC
2011 yilda Perlov va boshqalar. uzunligi 50 mm bo'lgan BBO kristalini o'stirish uchun oqim sifatida NaF ishlatilganc-eksa yo'nalishi va 5mm × 5mm × 40mm o'lchamdagi va optik bir xilligi 1 × 10 dan yaxshiroq bo'lgan BBO EO qurilmasi olingan−6 sm−1, bu EO Q-switching ilovalari talablariga javob beradi. Biroq, bu usulning o'sish davri 2 oydan ortiq, narxi esa hali ham yuqori.
Hozirgi vaqtda BBO kristalining past samarali EO koeffitsienti va katta hajmli va yuqori sifatli BBO o'sishi qiyinligi hali ham BBO ning EO Q-switching ilovasini cheklaydi. Biroq, lazer shikastlanishining yuqori chegarasi va yuqori takrorlash chastotasida ishlash qobiliyati tufayli, BBO kristali hali ham muhim qiymatga ega va istiqbolli kelajakka ega bo'lgan EO Q-modulyatsiya materialining bir turi hisoblanadi.
Shakl 2. Past yarim to'lqinli kuchlanishli BBO EO Q-switch - WISOPTIC Technology Co., Ltd tomonidan ishlab chiqarilgan.
Yuborilgan vaqt: 2021 yil 12 oktyabr